剥离单层 WSe$_2$ 中的谷极化激子动力学
介观与纳米尺度物理
2017-03-16 v1 材料科学
摘要
半导体过渡金属硫族化合物单层材料已成为未来基于谷电子学的量子信息技术的极具前景的候选者。这些材料中紧密结合的电子-空穴对具有两种不同的动量态，可通过圆偏振光照射进行确定性初始化。本文通过时间分辨克尔反射测量，研究了单层二硒化钨中这种谷极化的超快动力学。我们样品中观测到的克尔信号完全源于电中性激子。我们的研究结果支持了这样一种图像：亮激子的谷极化由于辐射复合、导带内自旋翻转跃迁、谷间散射过程以及长寿命谷极化暗态的形成而发生快速衰减。
引用
@article{arxiv.1703.05005,
title = {Valley-Polarized Exciton Dynamics in Exfoliated Monolayer WSe$_2$},
author = {Gerd Plechinger and Tobias Korn and John M. Lupton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.05005},
year = {2017}
}
备注
This document is the unedited Author's version of a Submitted Work that was subsequently accepted for publication in The Journal of Physical Chemistry C, copyright $\copyright$ American Chemical Society after peer review. To access the final edited and published work see http://pubs.acs.org/articlesonrequest/AOR-hCJpKkDiPY2E8AZzPe3t