探测与操控单层 WSe$_2$ 中暗激子的谷相干性
介观与纳米尺度物理
2019-09-04 v2
摘要
半导体过渡金属硫族化合物的单层是直接带隙的二维体系，其束缚紧密的激子具有对应于构成载流子所在谷的内禀自由度。强自旋轨道相互作用以及由此导致的价带和导带中自旋分裂子带的排序，使得 WX（X 为 S 或 Se）中最低能量的激子为自旋禁戒且光学暗激子。通过在六方氮化硼封装的 WSe 单层中进行的偏振分辨光致发光实验，我们展示了内禀交换相互作用结合所施加的面内和/或面外磁场如何使人们能够探测并操控暗激子的谷自由度。
引用
@article{arxiv.1901.04431,
title = {Probing and manipulating valley coherence of dark excitons in monolayer WSe$_2$},
author = {M. R. Molas and A. O. Slobodeniuk and T. Kazimierczuk and K. Nogajewski and M. Bartos and P. Kapuściński and K. Oreszczuk and K. Watanabe and T. Taniguchi and C. Faugeras and P. Kossacki and D. M. Basko and M. Potemski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.04431},
year = {2019}
}
备注
Manuscript: 6 pages, 3 figures; SM: 6 pages, 5 figures