过渡金属硫族化物半导体中多粒子激子复合物的电致发光
介观与纳米尺度物理
2019-04-19 v2
摘要
近期在光学激发下的 hBN 封装单层 WSe2 和 WS2 中，已报道了来自高阶关联激子态的光发射。这些激子复合物被发现是居于动量空间相反谷中的激子的束缚态，这一有前景的特性可用于谷电子学或其他新型光电子器件。然而，此类激子物种的电驱动光发射仍然缺乏。在此，我们报道了在六方氮化硼封装、以石墨烯为电极的单层 WSe2 和 WS2 中，由脉冲栅压产生的亮激子与暗激子、带负电的三子（trions）以及中性和带负电的双激子的电致发光。通过调整脉冲参数，我们能够在两种材料中调控不同激子物种的发射强度。我们发现来自带电双激子和暗激子的电致发光线宽窄至 2.8 meV。
引用
@article{arxiv.1812.03832,
title = {Electroluminescence from multi-particle exciton complexes in transition metal dichalcogenide semiconductors},
author = {Matthias Paur and Aday J. Molina-Mendoza and Rudolf Bratschitsch and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Thomas Mueller},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.03832},
year = {2019}
}