n 掺杂 MoSe$_2$ 单层中的长寿命自旋极化
介观与纳米尺度物理
2017-09-05 v2
摘要
过渡金属硫族化物单层由于自旋和谷自由度的耦合以及谷选择性激子跃迁，在潜在的谷电子学应用中极具兴趣。然而，这些材料中激子的超快复合对应用构成了天然限制，因此将极化转移到驻留载流子极为有利。在此，我们利用时间分辨克尔旋转研究了名义上未掺杂和 n 掺杂 MoSe 单层中的低温自旋-谷动力学。在 n 掺杂 MoSe 中，我们发现克尔信号的一个长寿命分量，将其归因于驻留载流子的自旋极化。该分量在名义上未掺杂的 MoSe 中不存在。长寿命自旋极化在施加的面内磁场下是稳定的。空间分辨测量使我们能够确定 MoSe 中电子自旋扩散常数的上限。
引用
@article{arxiv.1706.01802,
title = {Long-lived spin polarization in n-doped MoSe$_2$ monolayers},
author = {Markus Schwemmer and Philipp Nagler and Andreas Hanninger and Christian Schüller and Tobias Korn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.01802},
year = {2017}
}