基于合金的过渡金属硫族化物异质双层中的自旋-谷动力学
介观与纳米尺度物理
2024-02-20 v2
摘要
基于二维过渡金属硫族化物（TMD）的范德瓦耳斯异质双层近期被证明可支持稳健且长寿命的谷极化，有望用于谷电子学应用。然而，组成层的能带结构及其对齐在相关动力学中的作用仍大多未被探索。本文中，我们研究通过合金化单层半导体构建的具有不同能带结构的异质双层中的自旋-谷弛豫动力学。结合时间分辨克尔旋转光谱测量与针对具有不同化学组成和堆垛角的 MoWSe/WSe 样品的理论建模，我们揭示了层间激子复合与载流子自旋去极化在整体谷动力学中的作用。我们的结果为范德瓦耳斯异质结构中微观自旋-谷极化机制提供了见解，以助未来二维谷电子学器件的发展。
引用
@article{arxiv.2005.13306,
title = {Spin-valley dynamics in alloy-based transition metal dichalcogenide heterobilayers},
author = {V. Kravtsov and A. D. Liubomirov and R. V. Cherbunin and A. Catanzaro and A. Genco and D. Gillard and E. M. Alexeev and T. Ivanova and E. Khestanova and I. A. Shelykh and I. V. Iorsh and A. I. Tartakovskii and M. S. Skolnick and D. N. Krizhanovskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.13306},
year = {2024}
}