发光范德华异质结中通过自旋注入实现的谷极化
介观与纳米尺度物理
2016-09-06 v1
摘要
过渡金属二硫族化物（TMDCs）的价带顶在动量空间中位于不同位置，这种能带结构可被用于构建依赖于谷自由度运行的器件。为实现此类谷电子学器件，必须控制并操纵这些谷中的电荷密度，从而产生谷极化。虽然此前已通过光学激发实现了这一目标，但在没有光学激发的电子器件中产生谷极化仍然困难。在此，我们展示了从铁磁电极向基于 WSe2 和 MoS2 单层的异质结注入自旋，以及自旋极化空穴在 WSe2 层内的横向传输。由此产生的谷极化导致了圆偏振光发射，并可使用外部磁场进行调控。这一自旋注入和对谷极化的磁电控制演示，为基于半导体 TMDCs 中自旋-谷锁定实现自旋与谷电子学结合器件提供了新机遇。
引用
@article{arxiv.1609.01075,
title = {Valley Polarization by Spin Injection in a Light-Emitting van der Waals Heterojunction},
author = {Oriol Lopez Sanchez and Dmitry Ovchinnikov and Shikhar Misra and Adrien Allain and Andras Kis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.01075},
year = {2016}
}
备注
in Nano Letters (2016)