三维IV族单硫族化合物中产生的谷极化
材料科学
2017-08-16 v2
摘要
谷电子学是电子技术的一项突破，它为操控电子性质提供了新的自由度。结合DFT计算、光学吸收分析和线偏振分辨透射测量，我们报道了三维（3D）IV族单硫族化合物中存在三对具有相反光学吸收特性的谷。通过施加线偏振光，首次在三维系统中成功产生了谷极化，这为谷材料的探索开辟了新方向，并为光电探测器和谷电子器件提供了良好的平台。还研究了GeSe中谷调制与面内应变的关系，为获得优化的谷电子性质提出了一种有效途径。
引用
@article{arxiv.1708.01480,
title = {Valley polarization generated in 3-dimensional group-IV monochalcogenids},
author = {Tiantian Zhang and Sijie Zhang and Gang Xu and Nanlin Wang and Zhong Fang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.01480},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 4 figures