谷-层耦合：谷电子学的新设计原理
介观与纳米尺度物理
2020-01-29 v1 材料科学
摘要
我们提出二维材料中谷-层耦合（VLC）的概念，其中涌现谷中的低能电子态具有谷反衬的层极化，使得每一态在空间上局域于顶部或底部超层。VLC 实现了谷与栅电场之间的直接耦合，为电控谷电子学开辟了新途径。我们分析了体系承载 VLC 的对称性要求，通过具体二维材料实例的第一性原理计算与模型分析论证了该构想，并表明利用 VLC 可实现谷极化的电学、连续、宽范围且可切换的控制。此外，我们发现具有 VLC 的体系可展现其他有趣物理，如谷反衬线二色性以及层间激子电极化的光学选择。
引用
@article{arxiv.1904.06498,
title = {Valley-Layer Coupling: A New Design Principle for Valleytronics},
author = {Zhi-Ming Yu and Shan Guan and Xian-Lei Sheng and Weibo Gao and Shengyuan A. Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.06498},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 4 figures