垂直电场下部分交叠石墨烯中的隧穿谷电流滤波器
介观与纳米尺度物理
2025-07-11 v1
摘要
隧穿电流（TC）与谷电流（VC）在下一代器件实现高速与节能方面至关重要。本文给出了部分交叠石墨烯中 TC 与 VC 的关联。在垂直电场下，两层石墨烯具有相反的 AB 子晶格对称性，继而导致谷内传输的阻断。在允许的谷间传输中，衰减因子相位之差根据交叠长度仅偏好输出中的一个谷。这些结果表明，无边缘态的带隙是谷电子学的一个新平台。
引用
@article{arxiv.2310.20139,
title = {Tunnel Valley Current Filter in the Partially Overlapped Graphene under the Vertical Electric Field},
author = {Ryo Tamura},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.20139},
year = {2025}
}
备注
14 pages, 4 figures