多终端石墨烯结构中的应变控制谷滤波
介观与纳米尺度物理
2016-11-18 v1
摘要
谷极化电流可通过多终端石墨烯器件的局部应变产生。形变产生的伪磁场允许仅一个谷的电子透射，并在局部应变区域的另一侧产生来自单一谷的电子电流。我们表明，具有特定高度和宽度的凸起使谷滤波最为有效。尽管对极化电流的最大贡献来自最低子带的电子，但其他子带的贡献不可忽略，并可显著增强输出电流。
引用
@article{arxiv.1610.09916,
title = {Strain controlled valley filtering in multi-terminal graphene structures},
author = {S. P. Milovanovic and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.09916},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 4 figures