应变石墨烯结构：从谷电子学到压力传感
介观与纳米尺度物理
2017-11-22 v1
摘要
由于其强键合，石墨烯可以拉伸至其原始尺寸的 25% 而不破裂。此外，机械形变导致产生可超过 300 T 的赝磁场（PMF）。所产生的 PMF 对于来自不同谷的电子具有相反方向。我们表明，通过多端石墨烯器件的局部应变可以产生谷极化电流。由类高斯形变产生的赝磁场只允许来自一个谷的电子透射，并且在局部应变区域的另一侧产生来自单一谷的电子电流。此外，在石墨烯膜两侧施加压力差导致其弯曲/鼓起，从而引起电阻变化。我们发现，对于小半径的气泡，电阻随压力线性变化，而对于几乎拉伸到样品边缘的气泡，响应变为非线性。这被解释为由于气泡内传播电子模式的强干涉。我们的计算表明，以此方式可获得高规因子，这使石墨烯成为压力传感的良好候选者。
引用
@article{arxiv.1711.07904,
title = {Strained graphene structures: from valleytronics to pressure sensing},
author = {Slavisa P. Milovanovic and Francois M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.07904},
year = {2017}
}
备注
to appear in proceedings of the NATO Advanced Research Workshop