利用纳米结构基底进行应变工程石墨烯：II 赝磁场

本文通过原子尺度模拟研究了沉积在纳米结构基底上的支撑石墨烯中由应变诱导的赝磁场。考虑了台阶、 elongated trench（ elongated 沟槽）、一维势垒、球形气泡、高斯凸起和高斯凹陷作为石墨烯的支撑结构。从获得的优化构型中，我们发现由于支撑石墨烯中的应变诱导形变，产生了非常强的诱导赝磁场，其强度可达 $\sim$ 1000\,T。通过调节基底图案，发现了具有可控几何形状的不同磁约束。计算了石墨烯位于台阶、势垒和沟槽上方时产生的诱导磁场。与台阶和沟槽相反，位于势垒上方的石墨烯中间部分的赝磁场为零。本研究为通过基底纳米结构化设计石墨烯中的磁结构提供了理论背景。我们发现，改变形变的径向对称性会改变诱导赝磁场的六重对称性。