赝磁场与应变工程：GaN 纳米线上的石墨烯
介观与纳米尺度物理
2021-08-03 v1
摘要
具有不同形貌的氮化镓纳米线与纳米棒衬底是有前景的平台，可控制其上石墨烯薄膜的局部应变分布，从而诱导出赝磁场。在 HybriD 模式下进行的原子力显微镜测量辅以扫描电子显微镜，可详细可视化石墨烯表面的应变分布。与支撑区直接接触的石墨烯受拉伸应变，而位于支撑区之间的石墨烯应变较低。在支撑区之间的区域也出现特征性拉伸应变皱褶。对应变分布的详细分析显示应变梯度与支撑区边界间距呈正相关。这些结果通过拉曼光谱分析受谷内散射增强影响的 D' 带强度得到证实。此外，扫描隧道谱显示石墨烯皱褶附近态密度的局部改变，弱局域化测量表明赝磁场诱导散射增强。因此，我们表明纳米线与纳米棒衬底可在石墨烯中实现应变工程与赝磁场诱导。通过修改支撑区间距来控制石墨烯形貌，对于进一步的基础研究以及探索制造基于赝磁场的传感器或滤波器等创新器件途径均具前景。
引用
@article{arxiv.2108.00167,
title = {Pseudomagnetic fields and strain engineering: graphene on GaN nanowires},
author = {Jakub Kierdaszuk and Paweł Dąbrowski and Maciej Rogala and Paweł Krukowski and Aleksandra Przewłoka and Aleksandra Krajewska and Wawrzyniec Kaszub and Marta Sobanska and Zbigniew R. Zytkiewicz and Vitaly Z. Zubialevich and Paweł J. Kowalczyk and Andrzej Wysmołek and Johannes Binder and Aneta Drabińska},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.00167},
year = {2021}
}