石墨烯中的纳米工程非均匀应变
介观与纳米尺度物理
2015-06-04 v1
摘要
最近的实验表明，通过将石墨烯沉积在柱状体上可以产生非均匀应变。我们采用原子尺度计算研究了纳米柱上方石墨烯中的非均匀应变以及高达 5000 Tesla 的诱导赝磁场。通过减小纳米柱之间的距离，可以生成复杂的赝磁场分布。此外，我们利用从原子尺度计算获得的弛豫石墨烯构型，进行了局域态密度 (LDOS) 的紧束缚计算。我们发现准粒子 LDOS 在柱状体附近被强烈修改：在低能下显示出子晶格极化，在高能下显示出 van Hove 奇点的移动。我们的研究表明，改变纳米柱的特定图案可以创建所需形状的赝磁场轮廓，而 LDOS 图谱为扫描隧道显微镜的实验验证提供了输入。
引用
@article{arxiv.1204.6371,
title = {Nano-engineered non-uniform strain in graphene},
author = {M. Neek-Amal and L. Covaci and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.6371},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 2 figures