外延石墨烯中准粒子在相边界处的散射
介观与纳米尺度物理
2012-01-18 v1
摘要
我们通过扫描隧道显微镜 (STM) 研究了在超高真空中通过 6H-SiC(0001) 晶体热分解生长的样品上单层石墨烯 (SLG) 台地的电子结构。我们重点关注 SLG 台地边缘附近的局域态密度 (LDOS) 扰动。研究发现扶手椅型边缘有利于谷间准粒子散射，导致 ()R30{\deg} LDOS 超结构，这一结构此前已在石墨边缘报道过，最近也在 SiC(0001) 上的 SLG 中观察到。利用 LDOS 图像的傅里叶变换，我们证明了 SLG 的本征掺杂导致了费米能级处比中性石墨烯或石墨更复杂的 LDOS 图案，因为它结合了局部 ()R30{\deg} 超结构和长程拍频调制。尽管 Yang 等人 Nanoletters 10, 943 (2010) 已报道了这些特征，但我们在此提出了一种基于经典描述标准二维系统中驻波图案的简单论据的替代解释。最后，我们讨论了在其他典型边界处缺乏谷间散射的现象：锯齿型边缘和 SLG/双层石墨烯结。
引用
@article{arxiv.1201.3477,
title = {Quasiparticle scattering off phase boundaries in epitaxial graphene},
author = {A. Mahmood and P. Mallet and J. -Y. Veuillen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.3477},
year = {2012}
}