横向异质结构拓扑绝缘体-半导体体系中的局域态密度振荡
介观与纳米尺度物理
2024-09-04 v2
摘要
我们研究了拓扑绝缘体(TI)表面原子边缘缺陷处电子散射所引起的局域态密度(LDOS)振荡。为在TI表面产生边缘散射，我们假设其表面一半被半导体覆盖。除了改变被覆盖半侧的TI态之外，半导体的存在还在真空-半导体边界处导致一个局域边缘势。我们通过施加跨越边界的时间反演(TR)不变性与电流守恒来研究诱导出的LDOS。此外，我们探究了具有不同自旋织构和各向异性费米速度的TI结的散射如何影响远离结边缘处LDOS的调制。在所有情形中，对于靠近狄拉克点的能量，我们发现LDOS振荡的衰减包络对原子边缘缺陷处的散射不敏感，其衰减幂次由 给出。这些振荡振幅的定量差异取决于界面与自旋织构的细节，而振荡周期则由费米面的大小决定。
引用
@article{arxiv.2302.06123,
title = {Local density of state oscillations in laterally heterostructured topological insulator-semiconductor systems},
author = {David J. Alspaugh and D. N. Sheng and Mahmoud M. Asmar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.06123},
year = {2024}
}
备注
12 pages, 5 figures