铁基超导体中单个 As (Te, Se) 空位周围嵌套诱导的局部电子图样
超导电性
2018-07-04 v1
摘要
为了阐明配体在一系列铁基超导体中的作用，本文研究了单个 As (Te, Se) 空位周围的局部电子态。这种空位可以产生介于 eV 到 0.12 eV 之间的局部跃迁修正，并始终在固定对称偏压下的局部态密度 (LDOS) 中引起两个能隙内共振峰，这些峰相当稳健且与超导序参量的相位无关。缺陷附近的 LDOS 图像主要具有 和 条纹。这些由准粒子干涉产生的能量依赖型电荷调制，源于 点附近内（外）空穴费米面与 点附近内（外）电子费米面之间的嵌套效应。
引用
@article{arxiv.1705.06570,
title = {Nesting-induced Local Electronic Patterns around a Single As (Te, Se) Vacancy in Iron-based Superconductors},
author = {Degang Zhang and Zhihai Liu and Jianming Ma and Jiangshan Liu and Zhengwei Xie and C. S. Ting},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.06570},
year = {2018}
}
备注
4 pages, 5 figures