拓扑绝缘体 Bi2Te3 表面的电子驻波
介观与纳米尺度物理
2012-09-11 v2
摘要
金属表面的线缺陷会在电子局域态密度 (LDOS) 中诱发驻波。在远离缺陷的渐近区域，费米能级处 LDOS 振荡的波数通常等于费米轮廓嵌套段之间的距离，且 LDOS 振荡的包络随远离线缺陷呈幂律衰减。在此，我们从理论上分析了拓扑绝缘体 Bi2Te3 表面线缺陷附近的 LDOS 振荡，并识别出一种重要的预渐近贡献，其波数和衰减特征与渐近贡献显著不同。表征预渐近 LDOS 振荡的波数与最近的扫描隧道显微镜实验数据 [Phys. Rev. Lett. 104, 016401 (2010)] 吻合良好。
引用
@article{arxiv.1111.6184,
title = {Electronic standing waves on the surface of the topological insulator Bi2Te3},
author = {P. Rakyta and A. Palyi and J. Cserti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.6184},
year = {2012}
}
备注
8 pages, 5 figures; published version