拓扑绝缘体 Bi$_{2}$Te$_{3}$ 表面态在台阶缺陷处的散射
介观与纳米尺度物理
2012-10-24 v2
摘要
我们采用量子力学方法，理论研究了具有强翘曲效应的拓扑绝缘体 表面上直台阶缺陷的一般散射问题。在翘曲效应显著的高能区，沿 方向延伸的台阶缺陷上的入射电子可能表现出完美透射，而沿 方向延伸的缺陷上的入射电子则有有限的概率被反射，甚至可能表现出共振全反射。后一种情况下的透射性质对是否存在粒子 - 空穴对称性也非常敏感。预测的 Friedel 振荡以及缺陷附近局域态密度 (LDOS) 的幂律衰减行为，与近期关于 的扫描隧道显微镜实验结果吻合良好。我们还发现，表面态的高能 LDOS 表现出多周期 Friedel 振荡，这是由相互竞争的特征散射过程引起的。
引用
@article{arxiv.1204.6363,
title = {Surface states scattering from a step defect in topological insulator Bi_{2}Te_{3}},
author = {Jin An and C. S. Ting},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.6363},
year = {2012}
}
备注
11 pages,7 figures