磁场中拓扑绝缘体边缘缺陷的半经典散射
介观与纳米尺度物理
2025-01-22 v1 强关联电子
摘要
我们研究了在均匀外磁场中，由于边缘缺陷（在真实二维拓扑绝缘体样品中常见）导致的二维拓扑绝缘体边缘态的散射。外磁场破坏了时间反演对称性，为原本受拓扑保护的费米子边缘态提供了散射的可能性。无论边缘形变的形状和磁场强度如何，该散射始终是一个势垒上事件。我们采用了先进的Pokrovsky-Khalatnikov半经典方法，对于一大类解析形变轮廓，该方法使我们能够解析地获得散射振幅的主要指数因子和指前因子。
引用
@article{arxiv.2408.14540,
title = {Semiclassical scattering by edge imperfections in topological insulators under magnetic field},
author = {A. S. Dotdaev and Ya. I. Rodionov and A. V. Rozhkov and P. D. Grigoriev},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.14540},
year = {2025}
}
备注
25 pages, 17 figures