二维拓扑绝缘体光滑边界上的电子态:弹性背散射与光吸收
介观与纳米尺度物理
2021-01-14 v1
摘要
在 Volkov-Pankratov (VP) 哈密顿量框架内考虑了二维拓扑绝缘体(TI)边界态。假设 TI 与 OI 之间存在平滑过渡。边界态形成于均匀二维材料的总能隙中。其中一对态具有线性色散,其余具有带隙的狄拉克谱。找到了光学选择定则。对于垂直于边界的平面内光电场,相邻边界态之间的光学跃迁出现在全局二维能隙中。线性边界态中的电子无背散射,这指示了拓扑保护的事实。然而,当线性边界态进入狄拉克边界态的能量域时,背散射变得允许。得到了弹性背散射率。当费米能级进入线性与狄拉克边界态共存的能量域时,得到了类德鲁德电导。确定了有限样品在零温下的局域化边界电导。
引用
@article{arxiv.2101.05156,
title = {Electron states on the smooth edge of 2D topological insulator: elastic backscattering and light absorption},
author = {M. M. Mahmoodian and M. V. Entin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.05156},
year = {2021}
}
备注
5 pages, 5 figures