拓扑绝缘体/磁性绝缘体异质结中的边缘能带与垂直输运
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v1 强关联电子
摘要
计算了由三维拓扑绝缘体 (TI) 和磁性绝缘体层组成的异质结侧表面上电子传播的低能能带结构。能谱具有高度可调性，取决于层间隧穿振幅、塞曼能量和表面势之间的关系。前两个参数的比值控制着手性和螺旋表面态能带结构之间的拓扑相变。在前一种情况下，在狭窄的参数范围内会出现局域态，其波函数被限制在单个 TI 层附近，并与巡游态共存。在规则超晶格中，这些局域态在垂直方向上形成平带。这种局域化具有拓扑起源，与这些态特定的空间自旋织构相关。当发生从反常量子霍尔 regime 到由异质结侧表面上各向异性狄拉克锥表征的平凡相的拓扑相变时，这些局域态消失。
引用
@article{arxiv.1406.3927,
title = {Edge bands and vertical transport in topological insulator/magnetic insulator heterostructures},
author = {A. G. Mal'shukov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.3927},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 7 figures