拓扑绝缘体/莫特绝缘体异质结中的近邻效应
强关联电子
2015-06-15 v1
摘要
我们通过非均匀动力学平均场理论研究了二维莫特绝缘体(MI)和拓扑绝缘体(TI)关联异质结中的近邻效应。我们表明，TI的边缘态在MI区域内诱导出强重整化的中隙态，这些态仍然具有螺旋能谱的残余。低能电子的穿透由界面隧穿控制，极大地增强了MI内部的电子质量，并在强区域将边缘位点处的单个狄拉克锥分裂为空间分离的两个狄拉克锥。
引用
@article{arxiv.1303.2781,
title = {Proximity effects in a topological-insulator/Mott-insulator heterostructure},
author = {Suguru Ueda and Norio Kawakami and Manfred Sigrist},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.2781},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures