量子霍尔态下拓扑绝缘体异质结构中的电子 - 空穴配对
介观与纳米尺度物理
2015-06-12 v2
摘要
考虑了介电衬底上的拓扑绝缘体 (TI) 薄膜以及体 TI- 介电薄膜 - 体 TI 结构，将其视为实现逆流超导的天然双势阱异质结构。该效应源于属于 TI 不同表面的电子和空穴的配对，以及电子 - 空穴对气体向超流态的相变。研究了施加强垂直磁场的 TI 异质结构情形。结果表明，此类系统具有两个临界温度：配对的平均场温度和低得多的超流转变温度。计算了临界温度对磁场的依赖关系。讨论了基于 TI 的结构相较于基于 GaAs 和基于石墨烯的异质结构的优势。
引用
@article{arxiv.1211.1859,
title = {Electron-hole pairing in topological insulator heterostructures in the quantum Hall state},
author = {K. V. Germash and D. V. Fil},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.1859},
year = {2015}
}
备注
published version