基于 HgTe 量子阱的二维拓扑绝缘体态中的热电输运
介观与纳米尺度物理
2018-12-24 v1
摘要
我们实验研究了处于二维拓扑绝缘体（2D TI）态的 HgTe 量子阱的热电响应。在电荷中性点附近观察到了电子-空穴系统典型的双极性热功率，根据电阻测量，载流子类型在该点由电子变为空穴。空穴型热功率远强于电子型热功率。热功率随温度线性增加。我们提出了一个理论模型，该模型考虑了 2D TI 中边缘和体对电导率和热电效应的贡献，包括边缘到体泄漏的效应。与先前的理论研究相反，该模型表明 2D TI 预期不会在带导电阈值附近显示热功率异常，这与我们的实验结果一致。基于实验数据和理论分析，我们得出结论：观察到的热功率主要源于体，而电阻由边缘和体输运共同决定。
引用
@article{arxiv.1812.09226,
title = {Thermoelectric transport in two-dimensional topological insulator state based on HgTe quantum well},
author = {G. M. Gusev and O. E. Raichev and E. B. Olshanetsky and A. D. Levin and Z. D. Kvon and N. N. Mikhailov and S. A. Dvoretsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.09226},
year = {2018}
}
备注
21 pages, 7 figures