HgTe/CdTe 拓扑绝缘体中因边-体光学跃迁产生的光生伏特效应
介观与纳米尺度物理
2015-10-26 v2
摘要
我们理论上研究了频率高于平衡费米能级与导带底之差（THz 范围）的圆偏振光照射下的二维 HgTe/CdTe 量子阱拓扑绝缘体（TI）。我们证明，电子-空穴不对称性导致边态与体态之间自旋依赖的电偶极跃迁，并预测了圆偏振光电流的出现。若边态与导体隧穿耦合，则可通过测量导体中的电动势（EMF）来探测该光电流，其与光电流成正比。
引用
@article{arxiv.1506.00069,
title = {Photogalvanic effect in HgTe/CdTe topological insulator due to edge-bulk optical transitions},
author = {Vardan O. Kaladzhyan and Pavel P. Aseev and Sergey N. Artemenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.00069},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 4 figures