HgTe量子阱中二维拓扑绝缘体的电子热导率
介观与纳米尺度物理
2019-01-30 v1
摘要
我们测量了HgTe量子阱中二维拓扑绝缘体（2DTI）的微分电阻随外加直流电流的变化关系。电荷中性点附近的输运由一对反向传播的无隙边缘模表征。在电场存在下，能量由反向传播的通道沿相反方向输运。我们检验了热载流子效应模型，并证明在边缘输运 regime 中，电荷中性点附近能量转移符合维德曼-弗朗兹定律。
引用
@article{arxiv.1901.10297,
title = {Electronic thermal conductivity in 2D topological insulator in a HgTe quantum well},
author = {G. M. Gusev and Z. D. Kvon and A. D. Levin and E. B. Olshanetsky and O. E. Raichev and N. N. Mikhailovand and S. A. Dvoretsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.10297},
year = {2019}
}
备注
8 pages, 4 figures