磁场下二维拓扑绝缘体边缘态的有效哈密顿量及动力学
介观与纳米尺度物理
2015-05-25 v1
摘要
磁场在二维拓扑绝缘体的边缘态能谱中打开一个能隙，从而破坏了这些态对抗背散射的保护。为了将该能隙的性质与系统参数联系起来，并研究在非均匀势下边缘态中电子的动力学，我们发展了有效哈密顿量理论。利用这一解析理论，考虑了边缘态电子透射过势阶和势垒的量子力学问题，以及恒定电场中的运动。讨论了磁场对基于HgTe量子阱的二维拓扑绝缘体电阻的影响，并与实验数据进行了比较。
引用
@article{arxiv.1505.06144,
title = {Effective Hamiltonian and dynamics of edge states in two-dimensional topological insulators under magnetic fields},
author = {O. E. Raichev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.06144},
year = {2015}
}
备注
With minor changes, in Ukrainian Journal of Physics, v. 60, N 6 (2015)