含磁性杂质的铋烯中的电子与自旋输运
介观与纳米尺度物理
2023-09-15 v1
摘要
自过去十年首次实验实现以来，拓扑绝缘体一直是未来电子器件的候选者。拓扑保护边缘态的存在可被利用来生成稳健平台并发展量子计算机。本文中我们探究磁性杂质在拓扑绝缘体输运性质中的作用，特别地，我们研究其对边缘态电导的影响。通过实际的 计算，我们模拟了磁性吸附原子与拓扑绝缘体之间的相互作用，此外，我们的主要目标是获取大尺度样品的输运性质，因为这将可能在大尺度上局域化边缘态。
引用
@article{arxiv.2309.07328,
title = {Electronic and spin transport in Bismuthene with magnetic impurities},
author = {Armando Pezo and Felipe Crasto de Lima and Adalberto Fazzio},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.07328},
year = {2023}
}