无序二维拓扑绝缘体中的输运
介观与纳米尺度物理
2015-05-28 v1
摘要
我们在扩散输运体系中实验研究了与二维拓扑绝缘体相关的“反转型”半导体HgTe基量子阱的输运性质。我们在无磁场条件下进行了非局域电学测量，并观察到了由边缘态引起的大信号。这表明边缘态可以长距离传播（1毫米），因此，在拓扑绝缘体中，局域和非局域电学测量没有区别。在存在面内磁场的情况下，我们观察到局域电阻显著下降以及非局域电阻完全被抑制。我们将这一观察归因于面内磁场诱导的从拓扑绝缘体到体金属的相变。
引用
@article{arxiv.1106.1824,
title = {Transport in disordered two-dimensional topological insulator},
author = {G. M. Gusev and Z. D. Kvon and O. A. Shegai and N. N. Mikhailov and S. A. Dvoretsky and J. C. Portal},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.1824},
year = {2015}
}
备注
4.5 pages, 4 figures