混合二维拓扑绝缘体中的非局域输运
介观与纳米尺度物理
2015-07-08 v1
摘要
我们研究了由注入端和探测端组成的 H 形二维 HgTe/CdTe 量子阱中的非局域电阻，两者均可被调谐至量子自旋霍尔或金属自旋霍尔区域。由于强自旋轨道相互作用，HgTe/CdTe 量子阱中始终存在自旋霍尔效应和非局域电阻。我们发现，当探测端和注入端均处于量子自旋霍尔区域时，非局域电阻被量子化为 ，该值对弱无序散射和小磁场具有鲁棒性。而在该区域之外，非局域电阻迅速下降，并将被无序和磁场强烈抑制。在强磁场存在下，量子自旋霍尔区域将切换为量子霍尔区域，非局域电阻将消失。这种非局域信号及其在不同混合区域中的各种表现源于 HgTe/CdTe 量子阱的特殊能带结构，可被视为二维拓扑绝缘体中螺旋量子自旋霍尔边缘态的特征指纹。
引用
@article{arxiv.1507.01692,
title = {Nonlocal transport in a hybrid two-dimensional topological insulator},
author = {Yanxia Xing and Qing-feng Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.01692},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 8 figures