基于HgTe半金属的二维拓扑安德森绝缘体
介观与纳米尺度物理
2024-12-10 v2
摘要
我们报告了在具有半金属能谱和强无序的HgTe量子阱体材料中，对二维（2D）电子和空穴安德森局域化的实验观测。相比之下，由能谱反转产生的一维（1D）边缘通道，由于拓扑保护而表现出对无序的显著鲁棒性。强无序在体材料中诱导出一个迁移率带隙，使得能够访问1D边缘态，从而实现了二维拓扑安德森绝缘体（TAI）态。非局域输运测量证实了拓扑保护边缘通道的出现。TAI态似乎对垂直于样品施加的外部磁场非常敏感。首先，30mT的小磁场破坏了1D边缘通道的拓扑保护，从而使系统转变为普通安德森绝缘体。其次，0.5T的磁场使2D体电子退局域化，将系统转变为量子霍尔液体。
引用
@article{arxiv.2410.23564,
title = {Two-dimensional topological Anderson insulator in a HgTe-based semimetal},
author = {D. A. Khudaiberdiev and Z. D. Kvon and M. S. Ryzhkov and D. A. Kozlov and N. N. Mikhailov and A. Pimenov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.23564},
year = {2024}
}