HgTe/CdTe量子阱中拓扑安德森绝缘体的数值研究
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v1
摘要
我们研究了无序对HgTe/CdTe半导体量子阱输运性质的影响。我们证实，在中等无序强度下，最初未量子化的两端电导变为量子化，系统转变为新型拓扑安德森绝缘体(TAI)。针对条带和圆柱样品计算的电导揭示了TAI的拓扑特征，并支持螺旋边缘态可能导致反常量子化平台的观点。通过计算局域电流分布来研究无序的影响。基于上述图像，直接解释了量子自旋霍尔区和TAI区中由无序引起的现象。我们对局域电流构型的研究进一步阐明了反常平台的机制。
引用
@article{arxiv.0905.4550,
title = {Numerical study of the topological Anderson insulator in HgTe/CdTe quantum wells},
author = {Hua Jiang and Lei Wang and Qing-feng Sun and X. C. Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.4550},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 6 figures