共振驱动 Floquet 拓扑绝缘体中的无序诱导相变
无序系统与神经网络
2017-08-28 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了半导体量子阱中出现的 Floquet 拓扑绝缘体（FTIs）内的无序效应。此类 FTIs 是通过共振驱动价带与导带之间的跃迁而诱导的。我们表明，当引入无序时，只要共振准能量处存在迁移率隙，此类 FTIs 的拓扑性质就会保持。对于足够强的无序，该能隙闭合，所有态均局域化，系统经历向平庸绝缘体的相变。有趣的是，无序的效应未必是有害的：我们表明，在同一量子阱中，无序也能诱导从平庸系统到拓扑系统的相变，从而确立一种 Floquet 拓扑安德森绝缘体（FTAI）。我们确定了观察此类相变所需的驱动场条件。
引用
@article{arxiv.1702.02956,
title = {Disorder induced transitions in resonantly driven Floquet Topological Insulators},
author = {Paraj Titum and Netanel H. Lindner and Gil Refael},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.02956},
year = {2017}
}
备注
18 pages, 13 figures