Floquet拓扑绝缘体中的反常与常规位错模
介观与纳米尺度物理
2021-07-26 v2 强关联电子
摘要
具有非平庸体拓扑不变量的电子能带通过边界（如边缘与表面）处的稳健无隙模显现。此种体-边界对应在驱动量子材料中同样成立。例如，合适的周期驱动可将平庸绝缘体转变为Floquet拓扑绝缘体（FTI），其在与真空的界面处容纳非耗散动态无隙模。本文从理论上证明，晶体中普遍存在的晶格缺陷——位错，可通过支持定域于缺陷核附近的常规与反常模，探测驱动量子体系体中的FTI以及非常规的 -平庸绝缘体。常规与反常位错模分别居于Floquet区中心与边界。我们具体以二维（2D）Floquet Chern绝缘体与 超导体为例展示这些结果，其中位错模分别由带电与中性Majorana费米子构成。因此，我们的发现将有助于通过体拓扑晶格缺陷，在驱动量子晶体、冷原子装置以及光子与声子超材料的前沿实验中探测Floquet拓扑相。
引用
@article{arxiv.2010.11952,
title = {Anomalous and normal dislocation modes in Floquet topological insulators},
author = {Tanay Nag and Bitan Roy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.11952},
year = {2021}
}
备注
8 Pages and 5 Figures (Supplementary Information as Ancillary File)