基于布洛赫振荡诊断 Floquet Chern 和异常拓扑绝缘体
光学
2025-08-04 v1
摘要
由于其共同特征包括手性边态且远离平衡，诊断 Floquet Chern 绝缘体 (FCI) 和 Floquet 异常拓扑绝缘体 (FATI) 具有挑战性。提出一种混合直曲型波导阵列，以实现从 FCI 到 FATI 的拓扑相变，并展示如何使用布洛赫振荡来诊断这两种相态。作为原理验证，混合直曲型波导阵列被设计为嵌入在非同步曲线 Kagome 波导阵列中的直六边形波导阵列。在由折射率梯度创建的二维倾斜势中，初始的类高斯波包发生 2D 布洛赫振荡，显示出 FCI 中的准量化位移以及 FATI 中的无漂移。该方法提供了一种直接且无歧义的方法，从 bulk response 中诊断 Floquet 拓扑相位。
引用
@article{arxiv.2508.00582,
title = {Diagnosing Floquet Chern and anomalous topological insulators based on Bloch oscillations},
author = {Maowu Zuo and Yongguan Ke and Zhoutao Lei and Chaohong Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.00582},
year = {2025}
}
备注
Accepted by Laser & Photonics Reviews