半导体微腔中的 Floquet 拓扑极化激元
介观与纳米尺度物理
2018-05-15 v1
摘要
我们提出并建模了半导体微腔中的 Floquet 拓扑极化激元，利用频率失谐相干场的干涉来提供时间周期势。在任意弱的场强下，当 Floquet 频率大于系统的相关带宽时，可获得 Chern 绝缘体。随着场强增加，观察到拓扑相变，其未配对的 Dirac 锥表明了反常 Floquet 拓扑绝缘体。当相关带宽进一步增大时，在第二临界点观察到具有未配对 Dirac 锥的平带奇异 Chern 绝缘体。考虑极化激元的自旋自由度，我们发现场偏振的选择允许相反偏振的极化激元在手性边缘态中同向或反向传播。
引用
@article{arxiv.1805.00657,
title = {Floquet Topological Polaritons in Semiconductor Microcavities},
author = {Rongchun Ge and Wijnand Broer and Timothy C. H. Liew},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.00657},
year = {2018}
}
备注
Accepted by PRB