周期性δ踢动Haldane-Chern绝缘体中的Floquet拓扑相变
介观与纳米尺度物理
2018-02-14 v2
摘要
我们考虑一个周期性-踢动的Haldane型Chern绝缘体,踢动施加于方向。已知这表现为反演对称破缺扰动,因为它引入了时间依赖的交错子晶格势。我们在此研究这种驱动对原始Haldane模型(无净磁场的霍尔效应)拓扑相图的影响。所得的Floquet能带拓扑再次是Chern绝缘体的拓扑,驱动参数、频率和振幅影响非驱动Haldane模型的反演破缺质量。观察到一系列此类周期性相关的“Semenoff质量”,它们在反演破缺轴上支持Haldane类相图的周期重复。在这些质量中,可在Floquet准能的约化区方案中识别出两个不等价质量,它们形成两个不等价相图的中心。此外,仅驱动振幅大小的变化被证明通过关于非驱动情况位置线性移动驱动模型的相图来影响拓扑性质。这一现象允许研究系统中的Floquet拓扑相变。最后,我们还讨论了关于Haldane防止布里渊区中狄拉克点接触处能带重叠条件的某些修正问题,在存在踢动的情况下。
引用
@article{arxiv.1709.08354,
title = {Floquet topological phase transitions in a kicked Haldane-Chern insulator},
author = {Tridev Mishra and Anurag Pallaprolu and Tapomoy Guha Sarkar and Jayendra N. Bandyopadhyay},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.08354},
year = {2018}
}
备注
14 pages, 5 figures, Accepted for publication in Phys. Rev. B