驱动一维拓扑绝缘体中的Floquet拓扑相变
介观与纳米尺度物理
2015-12-01 v1 量子气体
摘要
聚乙炔的Su-Schrieffer-Heeger模型是一个展现非平凡边缘态的典型哈密顿量。利用Floquet理论，我们研究了该一维拓扑绝缘体的能谱如何受时变势影响。特别地，我们证明了不同光子辅助过程与未扰动哈密顿量的固有拓扑之间的竞争，决定了不同驱动频率下的结果拓扑。尽管准能谱的某些区域产生容纳Floquet边缘态的新能隙，但固有能隙可被急剧减小，且原始边缘态可能被破坏或被新的Floquet边缘态取代。我们的研究辅以应用于Floquet能带的Zak相分析。除了作为理解受驱拓扑相物理的简单例子外，我们的结果可在冷物质实验中找到有前景的测试平台。
引用
@article{arxiv.1506.03067,
title = {Floquet topological transitions in a driven one-dimensional topological insulator},
author = {V. Dal Lago and M. Atala and L. E. F. Foa Torres},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.03067},
year = {2015}
}