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弗洛凯拓扑绝缘体的电路模拟

介观与纳米尺度物理 2023-12-06 v2

摘要

我们提出了一种利用由电感和电容构成的电路在傅里叶空间中模拟任意非相互作用且时间周期性的紧束缚哈密顿量的方法。我们首先将时间周期性哈密顿量映射为弗洛凯哈密顿量,从而将时间维度转换为弗洛凯维度。在电路中,该弗洛凯维度被模拟为一个额外的空间维度,且电路元件中没有任何时间依赖性。弗洛凯哈密顿量中所需的副本数量取决于驱动的频率和强度。我们还展示了可以通过测量节点间的两点阻抗来在电路中探测拓扑边缘态(包括动力学能隙中的反常边缘态)。我们的方法为在电路中探索和控制弗洛凯拓扑相提供了一条简单而有前景的途径。

关键词

引用

@article{arxiv.2208.08196,
  title  = {Electric Circuit Simulation of Floquet Topological Insulators},
  author = {S. Sajad Dabiri and H. Cheraghchi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2208.08196},
  year   = {2023}
}

备注

6 pages, 5 figures