Floquet 拓扑相变的有效理论
介观与纳米尺度物理
2014-12-12 v1
摘要
我们发展了 Floquet 拓扑绝缘体中拓扑相变的理论，并以圆偏振光照射的石墨烯作为具体实现案例。我们证明，静态系统中此类相变的一个标志性特征（即电导率量级为 的金属体态输运），在洁净系统的某些 Floquet 拓扑相变处会受到显著抑制。我们解析地确定了这种抑制的条件，并在数值模拟中证实了我们的结果。值得注意的是，引入无序会将这种输运 dramatically 增强几个数量级。
引用
@article{arxiv.1406.1490,
title = {Effective Theory of Floquet Topological Transitions},
author = {Arijit Kundu and H. A. Fertig and Babak Seradjeh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.1490},
year = {2014}
}
备注
4+epsilon pages, 4 figures, supplemental material