扭曲过渡金属硫族化物同质双层中 Floquet 工程调控的拓扑相变
介观与纳米尺度物理
2021-02-01 v3
摘要
受近期扭曲过渡金属硫族化物双层实验实现的启发，我们研究了由不同形式单色光驱动的简化模型。作为一个具体且具有代表性的例子，我们采用对应于扭曲 MoTe 同质双层的参数。首先，我们考虑自由空间中圆偏振光的照射，并证明相应的 Floquet 哈密顿量具有与静态哈密顿量相同的形式，仅具有准能量的恒定整体偏移。这与扭曲双层石墨烯形成鲜明对比，后者在类似驱动下通常会产生新项。另一方面，纵向光（可由波导中的横磁模式产生）具有更显著的效果——它重整了层间隧穿强度，从而有效地允许原位调节扭曲角。我们发现，通过改变驱动的频率和振幅，可以诱导出自由空间中传统 Floquet 驱动形式无法获得的拓扑相变。此外，我们发现强驱动可对扭曲系统的层赝自旋织构产生深远影响，这与无限频率极限下多个同时的能带隙闭合相吻合。令人惊讶的是，这些能带隙闭合并不伴随拓扑相变。对于接近 eV 的高但有限的驱动频率，无限频率能带交叉变为量级为 eV 或更小的能带隙极小值。
引用
@article{arxiv.2011.10948,
title = {Floquet-engineering topological transitions in a twisted transition metal dichalcogenide homobilayer},
author = {Michael Vogl and Martin Rodriguez-Vega and Benedetta Flebus and Allan H. MacDonald and Gregory A. Fiete},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.10948},
year = {2021}
}