1T'过渡金属二硫族化物中的Floquet能带工程与拓扑相变
材料科学
2021-09-13 v1
摘要
使用从头算紧束缚方法，我们研究了在圆偏振光辐照下过渡金属二硫族化物（MX2，M = W, Mo 且 X = Te, Se, S）单层1T'相的Floquet能带工程。我们的第一性原理计算表明，光可以诱导这一新兴材料家族拓扑相的重要转变。例如，在辐照下，基于Te的MX2经历了从量子自旋霍尔（QSH）半金属到时间反演对称性破缺的QSH绝缘体的相变，其非平凡带隙高达92.5 meV。另一方面，随着光强度的增加，基于Se和S的MX2经历了从QSH效应到量子反常霍尔（QAH）效应再到平凡相的拓扑相变。从一般视角来看，我们的工作为非平衡拓扑系统带来了进一步的见解。
引用
@article{arxiv.2109.04557,
title = {Floquet band engineering and topological phase transitions in 1T' transition metal dichalcogenides},
author = {Xiangru Kong and Wei Luo and Linyang Li and Mina Yoon and Tom Berlijn and Liangbo Liang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.04557},
year = {2021}
}