倾斜有隙狄拉克材料的 Floquet 工程

Andrii Iurov; Liubov Zhemchuzhna; Godfrey Gumbs; Danhong Huang; Kathy Blaise; Chinedu Ejiogu

倾斜有隙狄拉克材料的 Floquet 工程

材料科学 2022-06-22 v1

作者: Andrii Iurov , Liubov Zhemchuzhna , Godfrey Gumbs , Danhong Huang , Kathy Blaise , Chinedu Ejiogu

摘要

我们建立了一个严格的 Floquet 工程理论形式，通过在非共振区施加外部高频修饰场，来研究并最终调控四方二硫化钼（1T $^\prime$ -MoS $_2$ ）最关键的一些电子性质。最近有研究表明，单层半导体性 1T $^\prime$ -MoS $_2$ 可呈现一种扭曲的四方结构，该结构展现出可调谐且有隙的自旋和谷极化倾斜狄拉克能带结构。从电子学角度看，1T $^\prime$ -MoS $_2$ 是最具技术前景的纳米材料之一，也是已负盛名的过渡金属二硫族化物家族的新颖代表。所得修饰态强烈依赖于所施加辐照的极化方式，并反映了未辐照材料初始低能哈密顿量的全部复杂性。我们针对所施加场的线性和圆偏振类型，计算并分析了所得电子修饰态，重点关注其对称性质、各向异性、倾斜和带隙以及拓扑特征。由于已知圆偏振修饰场还会诱导向具有破缺时间反演对称性和非零陈数的新态的转变，这些拓扑非平庸相及其之间的转变组合可能揭示一些真正独特且此前未知的现象。

关键词

Floquet 工程倾斜狄拉克材料 1T'-MoS2 过渡金属二硫族化物修饰态拓扑相非共振区

引用

@article{arxiv.2206.09470,
  title  = {Floquet engineering of titled and gapped Dirac materials},
  author = {Andrii Iurov and Liubov Zhemchuzhna and Godfrey Gumbs and Danhong Huang and Kathy Blaise and Chinedu Ejiogu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2206.09470},
  year   = {2022}
}

备注

14 pages, 9 figures

倾斜有隙狄拉克材料的 Floquet 工程

摘要

关键词

引用

备注

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