全MoS2单层异质结构的力学响应：基于ReaxFF的研究
材料科学
2017-04-17 v1
摘要
二硫化钼（MoS2）因其有趣的电子性质而成为一种极具吸引力的二维材料。最近的实验进展证实，通过制造由半导体（2H）和金属（1T）MoS2 相组成的单层异质结构，可以进一步调控 MoS2 的电子性质。然而，尽管具有重大的技术和科学意义，目前关于这些异质结构系统力学性质的信息仍然有限。本研究旨在扩展我们对室温下全 MoS2 单层结构力学性质的理解。该目标是通过使用最近开发的 ReaxFF 力场进行广泛的经典分子动力学模拟实现的。我们首先研究了无缺陷 2H 和 1T 相的依赖于方向的力学性质。我们发现，对于原始 2H MoS2 的建模结果与实验测试和第一性原理理论预测吻合良好。我们还讨论了 2H/1T 单层异质结构的力学响应。我们的反应分子动力学结果表明，全 MoS2 异质结构是提供具有可调电子性质的强韧柔性材料的合适候选者。
引用
@article{arxiv.1703.07641,
title = {Mechanical response of all-MoS2 single-layer hetrostructures: A ReaxFF investigation},
author = {B Mortazavi and A Ostadhossein and T Rabczuk and ACT van Duin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.07641},
year = {2017}
}