氢化单层二硫化钼中的可调掺杂
材料科学
2018-06-11 v2 强关联电子
摘要
众所周知，二硫化钼 (MoS2) 单层中的结构缺陷会极大地改变其性质。因此，深入理解这些结构缺陷及其如何影响 MoS2 的电子性质具有根本重要性。在此，我们报道了在单层 MoS2 中引入原子氢以调节其结构缺陷。我们证明，通过在室温下控制暴露于原子氢，可以将单层 MoS2 的电子性质从本征电子 (n) 掺杂调节为空穴 (p) 掺杂。此外，这种氢化过程代表了一种完全饱和 MoS2 薄片中硫空位的可行技术。高分辨率 X 射线光电子能谱和密度泛函理论计算证实，氢成功引入 MoS2 导致了其电子性质的修饰。微拉曼光谱和角分辨光电子能谱测量显示了氢化 MoS2 的高质量，证实了我们氢化过程的效率。这些结果表明，MoS2 氢化可能是利用非 TMD 元素实现过渡金属硫族化物 (TMD) 材料可调掺杂的一种重要且高效的途径。
引用
@article{arxiv.1806.02655,
title = {Tunable Doping in Hydrogenated Single Layered Molybdenum Disulfide},
author = {Debora Pierucci and Hugo Henck and Zeineb Ben Aziza and Carl H. Naylor and A. Balan and Julien E. Rault and M. G. Silly and Yannick J. Dappe and François Bertran and Patrick Le Fevre and F. Sirotti and A. T Charlie Johnson and Abdelkarim Ouerghi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.02655},
year = {2018}
}
备注
15 pages, 6 figures + SI 3 pages 3 figures. Pre-print published with the authorization of ACS Publications