通过光学光谱学解耦单层 WS2 中掺杂、应变与缺陷的效应

过渡金属硫族化物（TMdC）单层是实现新一代光电器件的有前途候选者。然而，这些二维材料的光学性质在薄片与薄片之间甚至单个薄片内部存在差异，并随时间变化，这些都使得光电子性质的控制具有挑战性。有许多不同的扰动可改变光学性质，包括电荷掺杂、缺陷、应变、氧化和水插层。识别存在哪些扰动通常并不简单，且需要使用多种实验模态的多次测量，这在试图优化这些材料制备时构成障碍。在此，我们将高分辨率光致发光和差分反射高光谱成像原位应用于 CVD 生长的单层 WS2。通过结合这两种光学测量并使用统计相关分析，我们得以解耦调制这些材料光电子性质的三种贡献：电子掺杂、应变和缺陷。在分离这些贡献时，我们还观察到 B 激子能量对掺杂密度变化的敏感性低于 A 激子。