单层 MoS2 中应变与掺杂不均匀性的光学探测
材料科学
2018-04-27 v1
摘要
范德瓦耳斯单层材料的特征在于其固有的极低弯曲刚度，因此易受基底相互作用引起的纳米尺度结构改变。此类相互作用可诱导出多余的电荷浓度、构象波纹和残余机械应变。本工作中，我们采用空间分辨拉曼和光致发光成像来研究单层剥离二硫化钼晶体中的应变与掺杂不均匀性。我们发现，最显著的拉曼带 A1' 和 E' 的光谱参数之间的相关性使我们能够解耦并量化应变与电荷掺杂效应。与 AFM 形貌对比，我们表明 A 激子峰线宽的空间分布对应变敏感，并可捕捉小于激光光斑尺寸的特征。所提出的光学分析可能对基于二维材料的高质量器件开发具有重要意义，因为结构和电子修饰会显著影响其载流子迁移率与电导率。
引用
@article{arxiv.1804.10127,
title = {Optical detection of strain and doping inhomogenieties in single layer MoS2},
author = {Antonios Michail and Nick Delikoukos and John Parthenios and Costas Galiotis and Konstantinos Papagelis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.10127},
year = {2018}
}
备注
12 pages, 3 figures