石墨烯/MoS2异质结中电荷转移掺杂与应变的谱学评估
介观与纳米尺度物理
2019-05-22 v2 光学
摘要
研究基于层状二维(2D)材料的新型垂直异质结中的范德瓦耳斯界面十分重要。由于原子级薄,二维材料易受显著的应变以及跨界面电荷转移掺杂的影响。在此,我们使用拉曼和光致发光(PL)光谱研究通过机械剥离和逐层转移制备的单层石墨烯/MoS2异质结的界面。通过利用石墨烯和MoS2的拉曼模式之间的关联分析,我们表明在机械剥离和热退火后两层均受到压应变和电荷转移掺杂。此外,我们表明在异质结中可通过额外的热退火调制应变和载流子浓度。我们的研究强调了在表征范德瓦耳斯异质结界面时考虑机械和电学耦合的重要性,并展示了一种调控其机电性质的方法。
引用
@article{arxiv.1905.00664,
title = {Spectroscopic Evaluation of Charge-transfer Doping and Strain in Graphene/MoS2 Heterostructures},
author = {Rahul Rao and Ahmad E. Islam and Simranjeet Singh and Rajiv Berry and Roland K Kawakami and Benji Maruyama and Jyoti Katoch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.00664},
year = {2019}
}
备注
5 Figures, 1 table