用于二维材料异质结构的大面积石墨烯上二硫化钼少层电沉积
应用物理
2020-11-24 v2
摘要
涉及二维（2D）过渡金属硫族化合物与石墨烯等其他材料的异质结构，具有成为众多电子与光电子应用基本构建块的强大潜力。此类异质结构的集成与可扩展制备，对释放这些材料在新科技中的潜力至关重要。我们首次展示了通过非水相电沉积在石墨烯上生长二硫化钼（MoS2）少层薄膜。通过扫描与透射电子显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、能量与波长色散X射线光谱以及X射线光电子能谱等方法，我们表明该沉积方法能在石墨烯上制备出大面积、高质量且均匀的MoS2薄膜。我们通过测量薄膜中的光生电流揭示了这些异质结构的潜力。这些结果为开发电沉积方法以大规模生长由不同2D材料构成的异质结构铺平了道路，可应用于众多领域。
引用
@article{arxiv.2005.08616,
title = {Large-Area Electrodeposition of Few-Layer MoS2 on Graphene for 2D Material Heterostructures},
author = {Yasir J. Noori and Shibin Thomas and Sami Ramadan and Danielle E. Smith and Victoria K. Greenacre and Nema Abdelazim and Yisong Han and Richard Beanland and Andrew L. Hector and Norbert Klein and Gill Reid and Phillip N. Bartlett and Cornelis H. de Groot},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.08616},
year = {2020}
}
备注
11 pages and 6 figures